Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Комментарий к статье Е.А. Татохина, А.В. Каданцева, А.Е. Бормонтова и В.Г. Задорожнего “Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках”

Н. А. Ярыкин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Поступила в редакцию: 18.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 832–834

Реферативные базы данных:

•