М. Г. Мынбаева, П. Л. Абрамов, А. А. Лебедев, А. С. Трегубова, Д. П. Литвин, А. В. Васильев, Т. Ю. Чемекова, Ю. Н. Макаров, “Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6,страницы 847

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния

М. Г. Мынбаева^a, П. Л. Абрамов^a, А. А. Лебедев^a, А. С. Трегубова^a, Д. П. Литвин^b, А. В. Васильев^b, Т. Ю. Чемекова^b, Ю. Н. Макаров^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ОАО "Нитридные кристаллы", 197374 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены низкодефектные слои карбида кремния при использовании в качестве подложек пластин SiC, вырезанных из монокристаллических слитков, полученных модифицированным методом Лэли. На основании проведенных сравнительных исследований распределения структурных дефектов в подложках и эпитаксиальных слоях сделан вывод о том, что изоморфная пара эпитаксиальный слой/монокристаллическая подложка SiC, представляющая собой композицию материалов, полученных в рамках одного и того же метода – сублимационного синтеза – но в различающихся технологических условиях, является перспективной для получения затравочных кристаллов карбида кремния улучшенного качества.

Поступила в редакцию: 30.11.2010
Принята в печать: 06.12.2010