И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, Г. Э. Цырлин, В. А. Петров, Е. М. Танклевская, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, А. И. Хребтов, В. М. Устинов, “Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6,страницы 840

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии

И. П. Сошников^ab, Дм. Е. Афанасьев^c, Г. Э. Цырлин^abd, В. А. Петров^ab, Е. М. Танклевская^b, Ю. Б. Самсоненко^abd, А. Д. Буравлев^ab, А. И. Хребтов^b, В. М. Устинов^ab

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
^d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование процессов формирования упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs на положках GaAs(111)B методами электронной литографии и каталитического роста в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены основные параметры электронно-литографического процесса для формирования каталитических капель Au с размерами от 10 до 150 нм. Установлено, что последующий рост при молекулярно-пучковой эпитаксии протекает по преимущественно диффузионному механизму. Показано, что на участках с повторным экспонированием в электронном пучке после “взрывного” (lift off) процесса может наблюдаться подавление роста нитевидных нанокристаллов.

Поступила в редакцию: 16.11.2010
Принята в печать: 22.11.2010