RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6, страницы 836–839 (Mi phts8569)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм

Н. А. Малеевab, А. Г. Кузьменковab, А. С. Шуленковc, С. А. Блохинab, М. М. Кулагинаa, Ю. М. Задирановa, В. Г. Тихомировd, А. Г. Гладышевb, А. М. Надточийa, Е. В. Никитинаe, J. A. Lottf, В. Н. Сведе-Швецg, Н. Н. Леденцовaf, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
c Минский НИИ Радиоматериалов, 220024 Минск, Республика Беларусь
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
e Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
f VI Systems GmbH, D-10623 Berlin, Germany
g ООО "Объединенные энергетические системы"

Аннотация: Реализованы матрицы вертикально-излучающих лазеров с индивидуальной адресацией элементов и выводом излучения через подложку арсенида галлия. Индивидуальные лазерные излучатели с диаметром токовой апертуры 6–7 мкм демонстрируют лазерную генерацию на длине волны 958–962 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.1–1.3 мА, дифференциальной эффективностью 0.5–0.8 мВт/мА и максимальной выходной мощностью 7.5–9 мВт. Разброс параметров индивидуальных излучателей в пределах матричного кристалла, содержащего 5 $\times$ 7 элементов, не превышает $\pm$ 20%.

Поступила в редакцию: 20.12.2010
Принята в печать: 27.12.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 818–821

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026