Эта публикация цитируется в 12 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs

П. Н. Брунков^a, А. А. Гуткин^a, М. Э. Рудинский^a, О. И. Ронжин^a, А. А. Ситникова^a, А. А. Шахмин^a, Б. Я. Бер^a, Д. Ю. Казанцев^a, А. Ю. Егоров^b, В. Е. Земляков^c, С. Г. Конников<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, 195220 Санкт-Петербург, Россия
^c Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Проведено исследование распределения свободных носителей заряда по глубине HEMT-структур с квантово-размерными слоями методом электрохимического вольт-емкостного профилирования. Показано, что реальное распределение концентрации свободных носителей и их энергетический спектр в канале HEMT-структуры могут быть получены из численного моделирования результатов профилирования на основе самосогласованного решения одномерных уравнений Шредингера и Пуассона.

Поступила в редакцию: 02.12.2010
Принята в печать: 13.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 811–817

Реферативные базы данных:

•