Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Краевая фотолюминесценция монокристаллического кремния с $p$–$n$-переходом: структуры, изготовленные с использованием технологии высокоэффективных солнечных элементов

А. М. Емельянов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: При различных напряжениях, прикладываемых к $p$–$n$-переходу, исследованы кинетика и закономерности краевой фотолюминесценции кремниевой структуры, полученной с использованием технологии высокоэффективных солнечных элементов. Впервые показано, что проявление эффекта модуляции мощности краевой фотолюминесценции путем приложения постоянного напряжения к $p$–$n$-переходу качественно аналогично при возбуждении фотолюминесценции лазерным излучением с длинами волн 658 нм и 0.98 мкм. Показана возможность модуляции мощности краевой фотолюминесценции путем изменения величины сопротивления, шунтирующего $p$–$n$-переход. В отсутствие напряжения наблюдалось значительное превышение постоянной времени роста интенсивности фотолюминесценции над постоянной времени ее спада. Но по мере увеличения постоянного прямого тока величина постоянной времени спада приближалась к величине постоянной времени роста. Для объяснения результатов развиты представления о наличии в структуре, кроме обычной рекомбинации Шокли–Рида–Холла, второго, более эффективного и способного насыщаться канала рекомбинации. Результаты работы расширяют функциональные возможности люминесцентного метода для определения эффективных времен жизни носителей заряда.

Поступила в редакцию: 24.11.2010
Принята в печать: 01.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 805–810

Реферативные базы данных:

•