RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6, страницы 816–822 (Mi phts8566)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Особенности динамических акустоиндуцированных изменений фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов

О. Я. Олих

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко

Аннотация: Представлены результаты экспериментального изучения работы кремниевых солнечных элементов в условиях динамического ультразвукового нагружения. На основе анализа вольт-амперных характеристик исследованы зависимости тока короткого замыкания, напряжения холостого хода, максимальной выходной мощности, шунтирующего сопротивления, обратного тока и напряжения пробоя от деформации, связанной с акустическими волнами различных частот. Проанализированы возможные механизмы акустического влияния, в частности рассмотрены акустоиндуцированные перестройка рекомбинационных центров (например, комплексов B$_S$O$_{2i}$) и ионизация уровней, связанных с протяженными дефектами в области $p$$n$-перехода.

Поступила в редакцию: 11.11.2010
Принята в печать: 23.11.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 798–804

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026