Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых растворов GaInAsSb

К. Д. Моисеев^a, В. П. Лесников^b, В. В. Подольский^b, Yu. Kudriavtsev^c, O. Koudriavtseva^c, A. Escobosa^c, V. Sanchez-Resendiz<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c CINVESTAV-IPN, 07360 Mexico D.F., P.O. box 14-740 Mexico

Аннотация: Разработана нанотехнология получения разбавленных магнитных полупроводников на основе соединений GaInAsSb с помощью метода лазерного осаждения атомов марганца на эпитаксиальный слой четверного твердого раствора, полученный методом жидкофазной эпитаксии. Изготовленные гетероструктуры исследовались методом рентгеновской дифракции с высоким разрешением для брэгговской и скользящей геометрии дифракции, а также проведен послойный анализ методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Было установлено, что приграничная область слоя Ga$_{0.96}$In$_{0.04}$As$_{0.11}$Sb$_{0.89}$ вблизи поверхности напыления атомарного марганца демонстрирует наличие пятикомпонентного соединения с атомами марганца в решетке и бинарных включений типа Mn$_3$As$_2$. Насыщение многокомпонентного разбавленного полупроводника GaIn(Mn)AsSb соединениями марганца позволит задавать концентрацию магнитной примеси в кристалле и управлять магнитными свойствами гетероструктуры.

Поступила в редакцию: 06.12.2010
Принята в печать: 13.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 771–775

Реферативные базы данных:

•