Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Экситонный спектр квантовых ям ZnO/ZnMgO

М. А. Бобров^a, А. А. Торопов^a, С. В. Иванов^a, A. El-Shaer^b, A. Bakin^b, A. Waag<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Institute of Semiconductor Technology, TU Braunshweig, D-38106 Braunschweig, Germany

Аннотация: Исследован экситонный спектр вюрцитных квантовых ям ZnO/Zn$_{1-x}$Mg$_x$O с шириной порядка или более боровского радиуса экситона, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией кислорода на подложках сапфира (0001). Экспериментально измерены низкотемпературные (25 K) спектры возбуждения фотолюминесценции (ВФЛ), позволившие разрешить пики поглощения света экситонами в квантовой яме. Теоретически спектр экситонов в квантовой яме определен в результате численного решения уравнения Шредингера вариационным методом. Величина упругих напряжений в структуре, используемая в расчете, определялась путем теоретического моделирования измеренных спектров оптического отражения. Сравнение эксперимента с теорией позволило определить наблюдаемые особенности в спектрах ВФЛ как экситоны, включающие нижний уровень размерного квантования электронов и два первых уровня дырок для $A$- и $B$-валентных зон вюрцитного кристалла. Уточнены значения масс электронов и дырок в ZnO и оценена величина встроенного электрического поля, определяемого спонтанной и пьезоэлектрической поляризациями.

Поступила в редакцию: 30.11.2010
Принята в печать: 06.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 766–770

Реферативные базы данных:

•