В. П. Кладько, А. В. Кучук, Н. В. Сафрюк, В. Ф. Мачулин, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, Б. С. Явич, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, “Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6,страницы 770

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN

В. П. Кладько^a, А. В. Кучук^a, Н. В. Сафрюк^a, В. Ф. Мачулин^a, А. Е. Беляев^a, Р. В. Конакова^a, Б. С. Явич^b, Б. Я. Бер^c, Д. Ю. Казанцев^c

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", г. Санкт-Петербург
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии проведены исследования многослойных структур в системе In$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Установлена связь между уровнем деформации (релаксации) системы, содержанием индия в квантовых ямах, соотношением толщин яма/барьер и числом квантовых ям активной сверхрешетки. Показано, что частичная релаксация системы начинается уже в структурах с одной квантовой ямой. Полученные результаты показывают, что процессы релаксации должны иметь значительное влияние на оптические характеристики приборов.

Поступила в редакцию: 11.11.2010
Принята в печать: 23.11.2010