RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6, страницы 765–769 (Mi phts8557)

Эта публикация цитируется в 30 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Физические свойства тонких пленок SnS, полученных методом горячей стенки

С. А. Башкиров, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов

Научно-практический центр по материаловедению Национальной академии наук Республики Беларусь 220072 Минск, Республика Беларусь

Аннотация: Представлены результаты исследования микроструктуры и оптических свойств тонких пленок SnS, полученных на стеклянных подложках методом горячей стенки, в зависимости от условий получения. Исследованы фазовый и элементный состав, морфология поверхности и спектры пропускания полученных пленок в диапазоне длин волн 400–2500 нм. Однофазные пленки характеризуются близким к стехиометрии элементным составом и высокой степенью преимущественной ориентации в плоскости (040). Оптическая ширина запрещенной зоны для прямых переходов составляет 1.07–1.27 эВ в зависимости от толщины пленок.

Поступила в редакцию: 18.11.2010
Принята в печать: 01.12.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 749–752

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026