Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Резонансное прохождение электронов через трехбарьерные структуры в двухчастотном электрическом поле

А. Б. Пашковский

Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.

Аннотация: Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами решение уравнения Шредингера, описывающее резонансные переходы между тремя равноудаленными квантовыми уровнями в сильном одночастотном электрическом поле, обобщено на случай разного расстояния между уровнями и двухчастотного поля, с частотами, соответствующими резонансным переходам в каждой из связанных квантовых ям. Показано, что в условиях когерентного транспорта электронов независимо от параметров структуры для любой амплитуды сильного резонансного поля в первой яме существует такая амплитуда резонансного поля во второй яме, что структура становится абсолютно прозрачной, и большинство электронов (в пределе – все), падающих на верхний резонансный уровень, может отдавать два фотона разной частоты и уходить из структуры по нижнему уровню без промежуточного взаимодействия с фононами. Вероятность переходов сильно зависит от амплитуд полей и не зависит от сдвига фаз между ними. Обнаружена возможность практически полной блокировки резонансных переходов в первой яме высокочастотным полем во второй.

Поступила в редакцию: 22.06.2010
Принята в печать: 01.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 743–748

Реферативные базы данных:

•