Эта публикация цитируется в 10 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур “кремний на изоляторе”

К. Д. Щербачев^a, В. Т. Бублик^a, В. Н. Мордкович^b, Д. М. Пажин<sup>b

a</sup> Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Исследовались особенности образования радиационных дефектов в тонком слое кремния структур “кремний на изоляторе” (КНИ). Показаны различия в изменениях структурных и электрических свойств тонкого слоя кремния и аналогичных по электрофизическим характеристикам массивных кристаллов кремния, подвергнутых одинаковым радиационным воздействиям. Установлено, что встроенный диэлектрик структуры “кремний на изоляторе” является барьером на пути движения радиационно-индуцированных собственных межузельных атомов кремния, что приводит к увеличению дозы бомбардирующих ионов, вызывающей потерю монокристалличности слоя кремния КНИ-структуры. Показано, что гамма-облучение дозами, не влияющими на электропроводность массивных кристаллов кремния, существенно изменяет таковую в слое кремния КНИ-структур. При этом изменение электропроводности слоя кремния связано с изменением плотности поверхностных состояний на границе раздела слой кремния-встроенный диэлектрик, а не с генерацией “классических” радиационно-индуцированных дефектов структуры кремния.

Поступила в редакцию: 13.12.2010
Принята в печать: 22.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 738–742

Реферативные базы данных:

•