Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Вакансионная модель аннигиляции микротрубок в эпитаксиальных слоях карбида кремния

С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В рамках предложенной авторами ранее вакансионной модели гетерополитипной эпитаксии карбида кремния (ФТП, $\mathbf{39}$, 296 (2005); $\mathbf{41}$, 641 (2007)) рассмотрены кинетические процессы аннигиляции (зарастания) микротрубки, проникающей в растущий слой из затравки-подложки. Найдено соотношение между скоростью роста эпитаксиального слоя, временем жизни вакансии и толщиной дефектного слоя, при котором микротрубка зарастает. Учитываются оба типа вакансий – углеродные и кремниевые. Предложена также упрощенная линейная модель процесса зарастания микротрубки, в рамках которой определено соотношение между диаметром микротрубки $r_0$ и толщиной дефектного слоя $l^*: l^*=r_0(G/g)$, где $G$ – скорость роста слоя, $g$ – скорость вакансии, что для реальных условий роста дает $l^*\approx6r_0$.

Поступила в редакцию: 30.11.2010
Принята в печать: 06.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 727–730

Реферативные базы данных:

•