Эта публикация цитируется в 5 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Модель диффузии бора в карбиде кремния из газовой фазы

О. В. Александров^a, Е. Н. Мохов<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Диффузия бора в карбид кремния из газовой фазы описана на основе двухкомпонентной модели. Медленным компонентом с высокой поверхностной концентрацией является “мелкий” бор – бор в узлах кремния, коэффициент диффузии которого пропорционален концентрации положительно заряженных собственных точечных дефектов, предположительно межузельных атомов кремния. Быстрым компонентом с более низкой поверхностной концентрацией является “глубокий” бор – примесно-дефектные пары бор-углеродная вакансия. Соотношение между поверхностными концентрациями компонентов зависит от давления пара кремния или углерода в газовой фазе. Диффузия и взаимодействие компонентов описаны системой диффузионно-реакционных уравнений. Замедление диффузии, наблюдающееся на хвосте концентрационного профиля, связывается с захватом примесно-дефектных пар и избыточных вакансий на ловушки фоновых примесей и дефектов.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:6, 705–712

Реферативные базы данных:

•