Эта публикация цитируется в 11 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Получение слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$ для газовых микро- и наносенсоров

В. В. Болотов, П. М. Корусенко, С. Н. Несов, С. Н. Поворознюк, В. Е. Росликов, Е. А. Курдюкова, Ю. А. Стенькин, Р. В. Шелягин, Е. В. Князев, В. Е. Кан, И. В. Пономарева

Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН

Аннотация: Слои гетерофазных нанокомпозитов, основанных на пористом кремнии и нестехиометрическом оксиде олова, получены различными методами. Структура, элементный и фазовый состав полученных нанокомпозитов исследованы с помощью просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, электронной оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Полученные данные подтверждают формирование нанокомпозитных слоев с толщиной до 2 мкм и коэффициентом стехиометрии SnO$_x$ $x$ = 1.0–2.0. При термообработках 770 K наблюдалась значительная диффузия олова в матрицу пористого кремния с $D_{\mathrm{eff}}\approx$ 10$^{-14}$ см$^2$/c. Тестовые сенсорные структуры, сформированные на основе слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$, полученных с использованием магнетронного напыления, показали достаточно высокую стабильность свойств и чувствительность к NO$_2$.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 693–698

Реферативные базы данных:

•