RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 5, страницы 694–701 (Mi phts8546)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Ионная имплантация платины из импульсной лазерной плазмы для формирования детектора водорода на кристалле $n$-6H-SiC

В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, А. Г. Гнедовец, В. В. Зуев, М. В. Демин, В. В. Григорьев

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Предложена достаточно простая методика поверхностного легирования SiC-подложки из импульсной лазерной плазмы каталитическим металлом, в частности платиной. Легирование достигается за счет внедрения высокоэнергетических ионов и ионного смешивания осаждаемой из плазмы пленки с поверхностным слоем подложки. Разработанная математическая модель позволяет проводить прогнозные расчеты энергетического спектра имплантируемых ионов платины на основе экспериментальных измерений основных физических характеристик импульсной лазерной плазмы и технических параметров высоковольтной системы. В результате исследования ионно-легированных слоев на кристалле $n$-6H-SiC выявлены особенности структурно-фазовых изменений поверхностных слоев кристалла при различных дозах “горячей” ионной имплантации (600$^\circ$C). На основе анализа экспериментальных данных выдвинуты предположения о различных твердофазных реакциях платины с карбидом кремния в зависимости от дозы имплантации, обусловливающих потерю или приобретение каталитических свойств наносистемами при образовании силицидов или металлоподобных кластеров соответственно. Оптимизация дозы ионной имплантации платины позволила получить на кристалле $n$-6H-SiC структуру, изменяющую электрофизические параметры в водородосодержащей среде при повышенных температурах.

Поступила в редакцию: 14.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 685–692

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026