Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs

А. М. Надточий^ab, С. А. Блохин^ab, А. Мутиг^c, Дж. Лотт^d, Н. Н. Леденцов^ad, Л. Я. Карачинский^ab, М. В. Максимов^ab, В. М. Устинов^a, Д. Бимберг<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^c Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, PW 5-2, D-10623 Berlin, Germany
^d VI Systems GmbH, 10623 Berlin, Germany

Аннотация: Показано, что применение субмонослойных внедрений InAs в качестве активной среды вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров позволяет достигать резонансных частот до 17 ГГц. При этом одномодовые приборы с меньшим диаметром токовой апертуры позволяют достичь более высоких частот при меньших плотностях тока, чем многомодовые приборы с большим диаметром апертуры. Максимальная безошибочная скорость передачи данных в режиме прямой модуляции по NRZ-формату составляет 20 Гб/с и ограничивается паразитной частотой отсечки. Высокая резонансная частота свидетельствует о том, что при дальнейшей оптимизации конструкции прибора, направленной на снижение электрической емкости и сопротивлений, в лазерах на основе субмонослойных внедрений может быть реализована скорость передачи данных вплоть до 40 Гб/с или выше.

Поступила в редакцию: 09.11.2010
Принята в печать: 15.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 679–684

Реферативные базы данных:

•