Эта публикация цитируется в 13 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, Н. А. Рудова, А. Ю. Лешко, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы спектры спонтанного излучения оптических потерь и усиления в лазерной гетероструктуре с квантово-размерной активной областью InGaAs при различных уровнях оптической и электрической накачки. Показано, что накопление носителей заряда в активной области ведет к аннигиляции длинноволнового краевого пика в спектре поглощения. Установлено, что протекающий фототок препятствует накоплению фотогенерированных носителей заряда, в результате спектр поглощения сохраняет свою форму независимо от уровня оптической накачки. Продемонстрировано, что эффекты многочастичного взаимодействия носителей заряда приводят к нетемпературному сужению ширины запрещенной зоны квантово-размерной активной области InGaAs на величину до 30 мэВ и размытию длинноволнового края спектра усиления. В результате для лазерных диодов полосковой конструкции можно найти такой спектральный диапазон, в котором усиление в области полоскового контакта положительно, а потери в пассивных областях близки к нулю.

Поступила в редакцию: 08.11.2010
Принята в печать: 15.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 673–678

Реферативные базы данных:

•