Эта публикация цитируется в 13 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри–Перо

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, З. Н. Соколова, А. Ю. Лешко, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведен анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в кристалле полупроводникового лазера Фабри–Перо с квантово-размерной активной областью. Установлено, что основными параметрами, влияющими на значение порога генерации замкнутой моды для выбранной лазерной гетероструктуры, являются: оптические потери в пассивной области, фактор оптического ограничения замкнутой моды в области усиления и расстройка материального усиления. Найдены соотношения, определяющие пороговые условия генерации замкнутой моды через оптические и геометрические характеристики полупроводникового лазера. Показано, что вследствие нулевых потерь на выход для замкнутой моды пороговые условия могут быть выполнены при меньшем значении материального усиления по сравнению с модой резонатора Фабри–Перо.

Поступила в редакцию: 01.11.2010
Принята в печать: 08.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 663–667

Реферативные базы данных:

•