Эта публикация цитируется в 21 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

Р. А. Хабибуллин^a, И. С. Васильевский^a, Г. Б. Галиев^b, Е. А. Климов^a, Д. С. Пономарев^a, В. П. Гладков^a, В. А. Кульбачинский^c, А. Н. Клочков^ab, Н. А. Юзеева<sup>b

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
^c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции и электрофизические параметры P-HEMT структур AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания $L_b$ квантовой ямы относительно поверхности. Образцы изготавливались с постоянной концентрацией электронов в квантовой яме при уменьшении слоя $L_b$. Установлено, что в спектрах фотолюминесценции для всех образцов присутствуют пики в областях энергии $\hbar\omega$ = 1.28–1.30 и $\hbar\omega$ = 1.35–1.38 эВ, отношение интенсивности которых увеличивается при уменьшении $L_b$. Расчеты зонной структуры показали, что изменение спектров связано с увеличением встроенного электрического поля при приближении квантовой ямы к поверхности.

Поступила в редакцию: 01.11.2010
Принята в печать: 08.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 657–662

Реферативные базы данных:

•