RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 5, страницы 652–656 (Mi phts8538)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Одновременная генерация мод TE$_1$ и TE$_2$ с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом

В. Я. Алешкинa, Т. С. Бабушкинаb, А. А. Бирюковb, А. А. Дубиновa, Б. Н. Звонковb, М. Н. Колесниковb, С. М. Некоркинb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Получена и исследована двухчастотная генерация в новом классе инжекционных гетеролазеров – межзонном двухкаскадном лазере с туннельным $p$$n$-переходом, разделяющим две активные области с квантовыми ямами, расположенными в одном и том же волноводе. Созданная конструкция лазера обеспечила одновременную генерацию TE моды 1-го порядка с длиной волны 1.086 мкм и TE моды 2-го порядка с длиной волны 0.96 мкм в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 14.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 641–645

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026