Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Токовый отклик детектора TlBr в поле источника $\gamma$-излучения $^{137}$Cs

И. М. Газизов^a, В. М. Залетин^b, В. М. Кукушкин^a, В. С. Хрунов<sup>a

a</sup> Институт физико-технических проблем, 141980 Дубна, Россия
^b Государственный университет "Дубна", г. Дубна, Московская обл.

Аннотация: На чистых и легированных кристаллах TlBr, выращенных методом направленной кристаллизации расплава по Бриджмену–Стокбаргеру, измерялся токовый отклик в поле источника $\gamma$-излучения $^{137}$Cs мощностью поглощенной дозы от 0.033 до 3.84 Гр/мин в диапазоне напряжений 1–300 В. Весовая доля вносимой примеси Pb в кристаллах TlBr составляла 1–10 млн$^{-1}$, а примеси Ca – 150 млн$^{-1}$. На номинально чистых образцах TlBr отклик фототока достаточно линеен в исследованном диапазоне мощностей доз. Глубокие дырочные уровни, связанные с катионными вакансиями $V_c^-$, определяли зависимость токового отклика от напряжения фототока в больших электрических полях. Были рассчитаны параметры переноса носителей тока $\mu\tau$ для кристаллов TlBr, выращенных в вакууме и в атмосфере брома, произведения $\mu\tau$ составили 4.3 $\cdot$ 10$^{-4}$ и 6.4 $\cdot$ 10$^{-5}$ см$^2$B$^{-1}$ соответственно. На примесных кристаллах, легированных двухвалентным катионом, величина $\mu\tau$ была в пределах (4–9) $\cdot$ 10$^{-5}$ см$^2$B$^{-1}$.

Поступила в редакцию: 20.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 636–640

Реферативные базы данных:

•