RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 5, страницы 639–643 (Mi phts8535)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Углеродные системы

Абсолютная отрицательная проводимость в примесном графене в присутствии магнитного поля

М. Б. Белоненкоa, Н. Г. Лебедевb, Н. Н. Янюшкинаb, М. М. Шакирзяновc

a Волгоградский институт бизнеса (лаборатория нанотехнологий), 400048 Волгоград, Россия
b Волгоградский государственный университет, 400062 Волгоград, Россия
c Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН

Аннотация: На основании метода “среднего электрона” в случае низких температур рассчитаны вольт-амперные и гаусс-амперные характеристики для графена с андерсоновским взаимодействием электронов проводимости и примеси. Проведен анализ полученных характеристик в зависимости от частоты внешнего переменного электрического поля и величины магнитного поля. Выявлен участок с абсолютной отрицательной проводимостью.

Поступила в редакцию: 18.01.2010
Принята в печать: 09.11.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 628–632

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026