Эта публикация цитируется в 15 статьях

Углеродные системы

Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC

А. А. Лебедев, Н. В. Агринская, С. П. Лебедев, М. Г. Мынбаева, В. Н. Петров, А. Н. Смирнов, А. М. Стрельчук, А. Н. Титков, Д. В. Шамшур

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено исследование пленок мультиграфена, полученных сублимацией на поверхности полуизолирующей подложки 6H-SiC. Показано, что использование предростового отжига подложки в квазизамкнутой ростовой ячейке приводит к улучшению структурного совершенства пленки мультиграфена. К пленке были сделаны омические контакты и проведено исследование эффекта Холла при низких температурах. В пленках было обнаружено наличие двумерного дырочного газа. Был сделан вывод, что проводимость пленки определяется дефектами, существующими в слое графена или на интерфейсе между пленкой графена и подложкой SiC.

Поступила в редакцию: 02.11.2010
Принята в печать: 08.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 623–627

Реферативные базы данных:

•