Эта публикация цитируется в 24 статьях

Углеродные системы

О переходе заряда в системе адсорбированные молекулы–монослой графена–SiC-подложка

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Переходы заряда в трехслойной структуре молекула (M)-однослойный графен (G)-SiC-подложка рассматриваются поэтапно. На первом этапе предлагается простая модель плотности состояний адсорбированного на карбиде кремния монослоя графена (система G-SiC), позволяющая вычислить соответствующие числа заполнения атомов графена. Показано, что монослой G накапливает отрицательный заряд. На втором этапе система G-SiC рассматривается как подложка, на которой адсорбируются молекулы с высоким значением сродства к электрону. Вычисляется заряд этих молекул в зависимости от их поверхностной концентрации. Показано, что при монослойном покрытии плотность отрицательного поверхностного заряда молекул в системе M-G-SiC значительно превосходит плотность поверхностного заряда, перешедшего с SiC-подложки на графен. Последнее свидетельствует о возможности нейтрализации избыточного заряда в графене путем адсорбции на нем соответствующих частиц.

Поступила в редакцию: 07.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 618–622

Реферативные базы данных:

•