Эта публикация цитируется в 7 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Увеличение интенсивности фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в одномерных фотонных кристаллах на основе пористого кремния

К. А. Гончар^a, Г. К. Мусабек^b, Т. И. Таурбаев^b, В. Ю. Тимошенко<sup>a

a</sup> Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
^b Казахский национальный университет им. Аль-Фараби (физический факультет), 050000 Алматы, Казахстан

Аннотация: Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в многослойных структурах на основе пористого кремния, обладающих свойствами одномерных фотонных кристаллов, при возбуждении светом с длиной волны 1.064 мкм. Обнаружено, что при попадании возбуждающего излучения на край фотонной зоны исследуемых структур происходит многократное увеличение (более чем в 400 раз) эффективности комбинационного рассеяния света. Данный эффект объясняется частичной локализацией возбуждающего света, что приводит к значительному увеличению времени взаимодействия света с веществом в исследуемых структурах.

Поступила в редакцию: 10.11.2010
Принята в печать: 19.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 614–617

Реферативные базы данных:

•