RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 5, страницы 617–621 (Mi phts8530)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фоточувствительные структуры на монокристаллах CuIn$_5$Te$_8$: создание и свойства

И. В. Боднарьa, В. Ю. Рудьb, Ю. В. Рудьc, Е. И. Теруковc, А. М. Ковальчукa

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава впервые синтезировано новое тройное соединение и выращены объемные монокристаллы CuIn$_5$Te$_8$. Из дифрактограмм выращенных кристаллов установлено, что им свойственна структура дефектного халькопирита с параметрами элементарной ячейки CuIn$_5$Te$_8$, которые оказались близкими к известным для тройного соединения CuInTe$_2$ с индексом состава $n$ = 0. На кристаллах CuIn$_5$Te$_8$ созданы первые фоточувствительные структуры, для которых получены спектры фоточувствительности и продемонстрирована возможность достижения широкополосной фоточувствительности при их освещении со стороны барьера. Из анализа спектров фоточувствительности структур определены характер межзонных переходов и отвечающие им значения энергий этих переходов в CuIn$_5$Te$_8$, которые открыли перспективы применения нового полупроводника в фотопреобразователях солнечного излучения.

Поступила в редакцию: 13.11.2010
Принята в печать: 19.11.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 607–610

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026