Аннотация:
Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава впервые синтезировано новое тройное соединение и выращены объемные монокристаллы CuIn$_5$Te$_8$. Из дифрактограмм выращенных кристаллов установлено, что им свойственна структура дефектного халькопирита с параметрами элементарной ячейки CuIn$_5$Te$_8$, которые оказались близкими к известным для тройного соединения CuInTe$_2$ с индексом состава $n$ = 0. На кристаллах CuIn$_5$Te$_8$ созданы первые фоточувствительные структуры, для которых получены спектры фоточувствительности и продемонстрирована возможность достижения широкополосной фоточувствительности при их освещении со стороны барьера. Из анализа спектров фоточувствительности структур определены характер межзонных переходов и отвечающие им значения энергий этих переходов в CuIn$_5$Te$_8$, которые открыли перспективы применения нового полупроводника в фотопреобразователях солнечного излучения.
Поступила в редакцию: 13.11.2010 Принята в печать: 19.11.2010