Аннотация:
Представлены результаты исследований влияния атомного состава металлооксидных полупроводников композитов SnO$_2$ : ZrO$_2$ на морфологию поверхности, размер зерен поликристаллов, электросопротивление, концентрацию, подвижность свободных носителей заряда и газочувствительные свойства тонких пленок (0.5–2.5 мкм). Пленки SnO$_2$ с добавками ZrO$_2$ (содержание Zr менялось от 0.5 до 4.6 ат%) изготавливались методом реактивного ионно-лучевого распыления металлических мишеней разного состава в контролируемой атмосфере Ar + O$_2$. С помощью просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально показано, что при увеличении содержания Zr в составе пленки SnO$_2$ : ZrO$_2$ размер зерен поликристаллов уменьшается от 45 до 10 нм, концентрация свободных носителей зарядов уменьшается почти на 4 порядка, а подвижность увеличивается примерно в 9 раз. С ростом количества Zr с пленках SnO$_2$ : ZrO$_2$ от 0.5 до 4.6 ат% температура максимальной газовой чувствительности пленок к таким газам, как этиловый спирт, изопропиловый спирт и ацетон, снижается на 100–190$^\circ$C.
Поступила в редакцию: 10.11.2010 Принята в печать: 19.11.2010