RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 5, страницы 612–616 (Mi phts8529)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электрофизические и газочувствительные свойства полупроводниковых наноструктурированных пленок SnO$_2$ : ZrO$_2$

С. И. Рембезаa, Н. Н. Кошелеваa, Е. С. Рембезаa, Т. В. Свистоваa, Ю. В. Шматоваa, Gang Xub

a Воронежский государственный технический университет
b Университет Цинхуа, 102201 Пекин, КНР

Аннотация: Представлены результаты исследований влияния атомного состава металлооксидных полупроводников композитов SnO$_2$ : ZrO$_2$ на морфологию поверхности, размер зерен поликристаллов, электросопротивление, концентрацию, подвижность свободных носителей заряда и газочувствительные свойства тонких пленок (0.5–2.5 мкм). Пленки SnO$_2$ с добавками ZrO$_2$ (содержание Zr менялось от 0.5 до 4.6 ат%) изготавливались методом реактивного ионно-лучевого распыления металлических мишеней разного состава в контролируемой атмосфере Ar + O$_2$. С помощью просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально показано, что при увеличении содержания Zr в составе пленки SnO$_2$ : ZrO$_2$ размер зерен поликристаллов уменьшается от 45 до 10 нм, концентрация свободных носителей зарядов уменьшается почти на 4 порядка, а подвижность увеличивается примерно в 9 раз. С ростом количества Zr с пленках SnO$_2$ : ZrO$_2$ от 0.5 до 4.6 ат% температура максимальной газовой чувствительности пленок к таким газам, как этиловый спирт, изопропиловый спирт и ацетон, снижается на 100–190$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 10.11.2010
Принята в печать: 19.11.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 603–606

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026