Эта публикация цитируется в 7 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние магнитного поля на электрофизические свойства поверхностно-барьерных структур Bi–Si–Al

Б. В. Павлык, А. С. Грыпа, Д. П. Слободзян, Р. М. Лыс, И. А. Шикоряк, Р. И. Дидык

Львовский национальный университет им. И. Франко

Аннотация: Обнаружены вызванные действием магнитного поля эффекты перестройки структурных дефектов на границе раздела полупроводник–металл. Анализ вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик свидетельствует о магнитостимулированном увеличении положительного заряда в диэлектрической прослойке, а также указывает на изменение плотности поверхностных состояний в зависимости от степени легирования исследуемых полупроводников.

Поступила в редакцию: 30.11.2009
Принята в печать: 01.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 599–602

Реферативные базы данных:

•