Эта публикация цитируется в 6 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электронные состояния на поверхности кремния после напыления и отжига пленки SiO$_x$

Н. А. Власенко, П. Ф. Олексенко, З. Л. Денисова, Н. В. Сопинский, Л. И. Велигура, Е. Г. Гуле, О. С. Литвин, М. А. Мухльо

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: С целью выяснения диаграммы энергетических зон на границе $c$-Si–SiO$_x$ и изменения электронных состояний после отжига пленки исследован спектр фотопроводимости, возникающей в поляризационном поле заряда на поверхностных состояниях и ловушках в объеме пленки. Установлено, что на интерфейсе Si–SiO$_x$ энергетические зоны искривлены, причем поверхность Si обогащена электронами. В равновесном состоянии максимум фототока при 1.1 эВ обусловлен зона-зонными переходами в кремниевой части интерфейса. Отжиг вызывает смещение максимума к большим энергиям, увеличивающееся при повышении температуры отжига от 650 до 1000$^\circ$C. Это сопровождается уменьшением фототока при $\le$ 1.1 эВ и ослаблением краевой фотолюминесценции вблизи поверхности Si. Обнаруженные изменения объяснены образованием при отжиге на границе Si–SiO$_x$ слоя окисла с нанокластерами Si в результате диффузии кислорода из пленки SiO$_x$, проходящей преимущественно по дефектам на поверхности пластины Si. В спектре фотопроводимости образцов, заряженных путем кратковременного приложения напряжения с полярностью “минус” на Si, выявлены электронные переходы в пленке SiO$_x$, происходящие как в самой матрице, так и с участием дефектов и нанокластеров Si, имеющихся в ней.

Поступила в редакцию: 21.09.2010
Принята в печать: 22.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 587–592

Реферативные базы данных:

•