Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Зарядовая спектроскопия слоев SiO$_2$ с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий

И. В. Антонова^a, С. А. Смагулова^b, Е. П. Неустроев^b, В. А. Скуратов^c, J. Jedrzejewski^d, E. Savir^d, I. Balberg<sup>d

a</sup> Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
^b Северо-Восточный государственный университет, 677000 Якутск, Россия
^c Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.
^d The Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem, Israel

Аннотация: Использован метод зарядовой спектроскопии (Q-DLTS) для исследования и сравнения процесса выброса носителей с нанокристаллов кремния, упорядоченно или случайным образом расположенных в матрице SiO$_2$, и показано, что во всех случаях он является термически активируемым процессом. В работе определены величины энергетических барьеров, характеризующих процессы выброса носителей с уровней нанокристаллов в слоях NCs : SiO$_2$, до (случайное распределение) и после их модификации облучением ионами высоких энергий (упорядоченное распределение нанокристаллов). Получено, что энергии активации выброса носителей с нанокристаллов и размер нанокристаллов, оцененный из разницы между энергиями двух уровней, наблюдаемых методом Q-DLTS, уменьшается с увеличением флюенса ионов. Плотность нанокристаллов, наблюдаемых методом Q-DLTS, примерно на порядок уменьшается при облучении флюенсом 10$^{12}$–10$^{13}$ см$^{-2}$ по сравнению с исходными необлученными структурами за счет формирования в треках проводящих цепочек из нанокристаллов.

Поступила в редакцию: 01.11.2010
Принята в печать: 12.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 582–586

Реферативные базы данных:

•