Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах $n$-Si

Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе

Грузинский технический университет (департамент физики), 0175 Тбилиси, Грузия

Аннотация: Исследовались монокристаллы $n$-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов 6 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-3}$. Образцы облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K в интервале доз (1.8–8.1) $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$. Измерения проводились методом Холла в интервале температур $T$ = 77–300 K. В образцах, облученных различными дозами протонов, наблюдаются резкое увеличение измеряемой эффективной холловской подвижности $\mu_{\mathrm{eff}}$ или же наличие глубокого минимума на кривых $\mu_{\mathrm{eff}}(T)$ в области фононного рассеяния электронов сразу после облучения или после старения образцов соответственно. Наблюдаемый эффект объясняется образованием в облученных образцах высокопроводящих (металлических) включений и изменением степени их экранирования примесно-дефектной оболочкой в зависимости от дозы облучения, времени естественного старения и температуры измерения. Примесно-дефектные оболочки вокруг металлических включений образуются в процессах изохронного отжига или естественного старения облученных образцов. В работе высказано предположение, что металлические включения, которые образуются в кристаллах $n$-Si при облучении протонами с энергией 25 МэВ, являются наноразмерными атомными кластерами с радиусом 80 нм.

Поступила в редакцию: 05.10.2010
Принята в печать: 01.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 572–576

Реферативные базы данных:

•