Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Фотопроводимость пиролитических пленок сульфида кадмия, легированных Cs

Т. Л. Майорова^a, В. Г. Клюев^b, Т. В. Самофалова<sup>b

a</sup> Воронежская государственная лесотехническая академия, 394087 Воронеж, Россия
^b Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия

Аннотация: Проведено исследование влияния примеси Cs на рекомбинационные процессы в пиролитических пленках CdS. Для таких структур, как чистых, так и легированных, наблюдается эффект запасенной проводимости. Введение примеси Cs приводит к увеличению фототока по сравнению с чистыми образцами в 5–10 раз, а также к увеличению времени релаксации неравновесной проводимости от 300 до 10$^4$ с. Запасенная проводимость обусловлена потенциальными барьерами между областями разной проводимости, связанными с неоднородностью исследуемых поликристаллических структур. При этом кинетика релаксации неравновесной проводимости легированных пленок CdS соответствует случаю квадратичной рекомбинации. Определено, что высота потенциального барьера, ответственного за запасенную проводимость, увеличивается в процессе релаксации неравновесной проводимости в диапазоне от 0.33 до 0.44 эВ.

Поступила в редакцию: 18.10.2010
Принята в печать: 18.10.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:5, 567–571

Реферативные базы данных:

•