Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов

А. В. Савельев^ab, И. И. Новиков^ac, А. В. Чунарева^ac, Н. Ю. Гордеев^ac, М. В. Максимов^ac, А. С. Паюсов^a, Е. М. Аракчеева^ac, В. А. Щукин^c, Н. Н. Леденцов<sup>ad

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195220 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d VI Systems GmbH, 10623 Berlin, Germany

Аннотация: Рассмотрена конструкция полоскового полупроводникового лазера с составным волноводом, образованным из двух туннельно-связанных волноводов, – узкого, содержащего активную среду, и широкого, формирующего оптическую моду. Показано, что при такой конструкции полупроводникового лазера возможна температурная стабилизация длины волны лазерной генерации. Причиной стабилизации длины волны является генерация в антирезонансных условиях связи двух волноводов, возникающих в узком диапазоне длин волн, положение которого слабо зависит от температуры. Выполненные расчеты при характерных параметрах для лазерной системы InAlGaAsP показали возможность ослабления температурной зависимости длины волны лазерной генерации до 3 раз в температурном диапазоне шириной 60 K.

Поступила в редакцию: 11.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 550–556

Реферативные базы данных:

•