Эта публикация цитируется в 10 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Пространственная неравномерность протекания тока и ее учет при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSbP/InAs

Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведен анализ вольт-амперных характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе структур InAsSbP/InAs, учитывающий сгущение линий тока вблизи контактов, с использованием экспериментальных данных о распределении интенсивности электролюминесценции по поверхности диодов. Обсуждено влияние потенциального барьера, связанного с переходом $N$-InAsSbP/$n$-InAs в двойных гетероструктурах, на дифференциальное сопротивление диодов при нулевом смещении, величину обратного тока и на растекание прямого тока.

Поступила в редакцию: 19.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 543–549

Реферативные базы данных:

•