Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Распределение потенциала в охранных структурах с плавающими кольцевыми $p$–$n$-переходами кремниевых детекторов излучений

Е. М. Вербицкая^a, В. К. Еремин^a, Н. Н. Сафонова^a, И. В. Еремин^a, Ю. В. Тубольцев^a, С. А. Голубков^b, К. А. Коньков<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт материаловедения, г. Зеленоград

Аннотация: Предложена модель распределения потенциала в охранных структурах (VTS – voltage terminating structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, в которых VTS представляет собой систему плавающих кольцевых $p^+$–$n$-переходов. Модель базируется на экспериментальных вольт-амперных характеристиках межкольцевых промежутков, которые получены для детекторов, изготовленных на высокоомном кремнии с удельным сопротивлением от 1 до 25 кОм $\cdot$ см. Физической основой модели является инжекционный принцип протекания тока через межкольцевые промежутки VTS, что становится возможным при определенном распределении электрического поля в областях пространственного заряда $p^+$–$n$-переходов чувствительного контакта и колец. Показано, что протекание инжекционного тока является универсальным принципом работы VTS с плавающими кольцами и приводит к жесткой стабилизации потенциалов отдельных колец, в результате чего возможно осуществить требуемое деление потенциала независимо от удельного сопротивления полупроводникового материала.

Поступила в редакцию: 11.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 536–542

Реферативные базы данных:

•