Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Полупроводниковый лазер с асимметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность

А. Е. Жуков^a, Н. В. Крыжановская^a, М. В. Максимов^a, А. Ю. Егоров^a, М. М. Павлов^a, Ф. И. Зубов^a, Л. В. Асрян<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24061, USA

Аннотация: Рассмотрен метод повышения температурной стабильности инжекционных лазеров, использующий асимметричные барьерные слои по обе стороны от квантово-размерной активной области. Асимметричные барьерные слои препятствуют утечке электронов из активной области в ту часть волноводной области, в которую инжектируются дырки, и утечке дырок в ту часть волноводной области, в которую инжектируются электроны. Выбраны параметры слоев, позволяющие реализовать асимметричные барьерные слои в структурах на подложках GaAs с выполнением условий псевдоморфного роста. Рассчитаны пороговые характеристики и показано, что подавление электронно-дырочной рекомбинации вне активной области, достигаемое при использовании асимметричных барьерных слоев, приводит к существенному уменьшению порогового тока и увеличению характеристической температуры лазера с асимметричными барьерными слоями.

Поступила в редакцию: 06.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 530–535

Реферативные базы данных:

•