Эта публикация цитируется в 12 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором

М. В. Лебедев, В. В. Шерстнев, Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследуется влияние обработки раствором сульфида натрия (Na$_2$S) в изопропиловом спирте на характеристики фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb и InAs/InAsSbP, измеряемые при комнатной температуре. В результате обработки спиртовым сульфидным раствором плотность темнового тока фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb при обратном смещении 0.1 В уменьшилась более чем в 25 раз, а фотодиодов InAs/InAsSbP – в 1.7 раза. При этом произведение сопротивления при нулевом смещении и площади устройства $(R_0A)$ увеличивалось для фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb от 1.0 до 25.6 Ом $\cdot$ см$^2$, а для фотодиодов InAs/InAsSbP от 4.4 $\cdot$ 10$^{-2}$ до 7.3 $\cdot$ 10$^{-2}$ Ом $\cdot$ см$^2$. Данный метод пассивации обеспечивает долговременную стабильность характеристик фотодиодов.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 526–529

Реферативные базы данных:

•