Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

А. А. Мармалюк^a, Е. И. Давыдова^a, М. В. Зверков^a, В. П. Коняев^a, В. В. Кричевский^a, М. А. Ладугин^a, Е. И. Лебедева^a, С. В. Петров^a, С. М. Сапожников^a, В. А. Симаков^a, М. Б. Успенский^a, И. В. Яроцкая^a, Н. А. Пихтин^b, И. С. Тарасов<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обобщены результаты серии исследований по созданию эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и AlGaAs/AlGaAs с несколькими излучающими областями и изучению свойств лазерных диодов на их основе, работающих в спектральных диапазонах $\lambda$ = 800–810, 890–910 и 1040–1060 нм. Продемонстрировано, что предложенный подход по интеграции отдельных лазерных структур методом МОС-гидридной эпитаксии успешно работает при создании лазерных диодов широкого спектрального диапазона на основе различных типов гетероструктур. Он позволил эффективно увеличить выходную мощность лазерных диодов практически без изменения их массогабаритных характеристик. Описаны основные достоинства данного подхода, а также его ограничения. Эпитаксиальная интеграция двух лазерных гетероструктур позволила увеличить дифференциальную квантовую эффективность в 1.7–2.0 раза, а интеграция трех лазерных гетероструктур – в 2.5–3.0 раза.

Поступила в редакцию: 20.09.2010
Принята в печать: 28.09.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 519–525

Реферативные базы данных:

•