Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Тиристоры на основе гетероструктур GaAs–AlGaAs с полностью оптической связью

В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, Ф. Ю. Солдатенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассмотрены несколько вариантов тиристоров на основе гетероструктур GaAs–AlGaAs с оптической передачей эмиттерного тока. На основе результатов исследования $n$–$p$–$n$- и $p$–$n$–$p$-оптотранзисторов, в которых эмиттерный ток преобразуется в свет с последующим преобразованием света в ток коллектора, показана принципиальная возможность создания тиристоров с полностью оптической передачей эмиттерного тока. Приведены структуры таких переключателей. С учетом особенностей технологии получения нелегированных слоев GaAs и формирования на их основе высоковольтных $p^0$–$n^0$-переходов с участием фоновых примесей для кардинального снижения времени задержки включения и повышения рабочих частот предложен и реализован коммутатор, имеющий три составных транзистора.

Поступила в редакцию: 15.09.2010
Принята в печать: 28.09.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 515–518

Реферативные базы данных:

•