Т. С. Кавецкий, “Влияние толщины образца и дозы $\gamma$-облучения на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge–Sb–S”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 4,страницы 506

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Влияние толщины образца и дозы $\gamma$-облучения на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge–Sb–S

Т. С. Кавецкий^ab

^a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
^b Научно-производственное предприятие "Карат", г. Львов

Аннотация: Исследовано влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на величину суммарного и статического радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках на примере сплавов системы Ge–Sb–S химического состава Ge$_{23.5}$Sb$_{11.8}$S$_{64.7}$. Установлено, что при сопоставимых соотношениях между дозами $\gamma$-облучения ($\Phi$ = 3.0 и 7.72 МГр) и толщинами образцов ($d$ = 1.0 и 1.7 мм) изменение дозы значительно влияет на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в данных полупроводниках.

Поступила в редакцию: 24.08.2010
Принята в печать: 15.09.2010