Эта публикация цитируется в 23 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом

П. В. Середин^a, А. В. Глотов^a, В. Е. Терновая^a, Э. П. Домашевская^a, И. Н. Арсентьев^b, Д. А. Винокуров^b, А. Л. Станкевич^b, И. С. Тарасов

^a Воронежский государственный университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены данные рентгеновской дифракции и инфракрасной спектроскопии для полученных МОС-гидридным методом гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальных структур GaAs : Si/GaAs(100), легированных кремнием до $\sim$1 ат%. Показано, что образование твердых растворов с кремнием в гомоэпитаксиальных структурах приводит к уменьшению параметра кристаллической решетки эпитаксиального слоя и отрицательной величине рассогласования с параметром монокристаллической подложки, $\Delta a<$ 0. В то же время образование четверных твердых растворов в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100) не приводит к существенным напряжениям кристаллической решетки. Введением кремния в эпитаксиальные слои этих гетероструктур можно добиться полного согласования параметров кристаллических решеток пленки и подложки при соответствующем подборе технологических условий роста эпитаксиальных слоев.

Поступила в редакцию: 14.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 481–492

Реферативные базы данных:

•