Эта публикация цитируется в 13 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Модель образования фиксированного заряда в термическом диоксиде кремния

О. В. Александров, А. И. Дусь

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана количественная модель образования фиксированного заряда $(Q_f)$ в диоксиде кремния при термическом окислении кремния. Величина $Q_f$ определяется количеством межузельных атомов кремния вблизи межфазной границы Si–SiO$_2$, образующихся в результате процессов их генерации и рекомбинации на межфазной границе, а также диффузии в глубь диоксида. Модель позволяет описать уменьшение фиксированного заряда при увеличении температуры окисления, а также при отжиге в нейтральных средах для диоксида кремния ориентаций (100) и (111) в широком диапазоне температур.

Поступила в редакцию: 01.09.2010
Принята в печать: 28.09.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 467–473

Реферативные базы данных:

•