RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 4, страницы 468–473 (Mi phts8506)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Поверхностно-барьерные структуры на монокристаллах четырехкомпонентных твердых растворов CdMgMnTe: создание и свойства

В. Ю. Рудьa, Ю. В. Рудьb, Е. И. Теруковb

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы четверных твердых растворов в системе Cd–Mg–Mn–Te по псевдобинарным разрезам Cd$_{0.75-x}$Mg$_x$Mn$_{0.25}$Te, Cd$_{0.75-x}$Mg$_{0.25}$Mn$_x$Te и Cd$_{1-2x}$Mg$_x$Mn$_x$Te. На полученных в пределах каждого из указаных разрезов монокристаллах созданы первые фоточувствительные структуры – барьеры Шоттки In/CdMgMnTe. Получены спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования, и обнаружена широкополосная фоточувствительность новых структур. На основании спектральных зависимостей фоточувствительности обсуждается характер мезонных переходов и определены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Установлены возможности применения выращенных монокристаллов четверных твердых растворов CdMgMnTe в широкодиапазонных фотопреобразователях оптических излучений.

Поступила в редакцию: 22.04.2010
Принята в печать: 07.05.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 461–466

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026