Электронные свойства полупроводников

Спектры пропускания пленок тройного соединения CuGa$_3$Se$_5$ в области края собственного поглощения

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь

Аннотация: Методом лазерного осаждения при температурах подложки 480 и 580 K получены пленки тройного соединения CuGa$_3$Se$_5$. Исследован их состав и структура. Установлено, что как кристаллы, так и пленки соединения CuGa$_3$Se$_5$ кристаллизуются в структуре дефектного халькопирита. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения определены значения энергий оптических переходов и их природа. В соответствии с квазикубической моделью Хопфилда рассчитаны величины энергий кристаллического $(\Delta_{\mathrm{cr}})$ и спин-орбитального $(\Delta_{\mathrm{SO}})$ расщепления валентной зоны для тройного соединения CuGa$_3$Se$_5$.

Поступила в редакцию: 05.08.2010
Принята в печать: 14.09.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 445–448

Реферативные базы данных:

•