Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Подвижность неосновных носителей заряда при низком уровне инжекции в полупроводниках

Л. И. Поморцева

Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина

Аннотация: Из кинетических уравнений получены функции распределения основных и неосновных носителей заряда при низком уровне инжекции. Для описания электронно-дырочных столкновений носителей использовался интеграл столкновения Ландау. Учтено рассеяние носителей на ионизованной, нейтральной примесях и на акустических фононах. Функция распределения основных носителей заряда представлена в аналитическом виде. Вычислена и проанализирована подвижность неосновных носителей заряда, и выявлены особенности ее поведения при низких температурах. Из развитой теории следует, что подвижность дырок в материале $n$-типа проводимости возрастает при увеличении легирования и концентрации нейтральной примеси. Этот эффект объясняется влиянием взаимных столкновений носителей заряда и различием эффективных масс носителей разного знака.

Поступила в редакцию: 19.08.2010
Принята в печать: 20.09.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:4, 436–444

Реферативные базы данных:

•