Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Н. К. Поляков, В. П. Улин, В. Г. Дубровский, P. Werner, “Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 4,страницы 441

Эта публикация цитируется в 19 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Ю. Б. Самсоненко^abc, Г. Э. Цырлин^abc, А. И. Хребтов^b, А. Д. Буравлев^bc, Н. К. Поляков^abc, В. П. Улин^c, В. Г. Дубровский^bc, P. Werner^d

^a Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle/Saale D 06120, Germany

Аннотация: Исследованы процессы роста самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на модифицированных 3 различными методами поверхностях Si(111). В качестве технологического метода получения нанокристаллов была использована молекулярно-пучковая эпитаксия. Установлено, что в интервале температур подложки 610–630$^\circ$C имеет место резкое увеличение поверхностной плотности и диаметра нанокристаллов, в то время как температурная зависимость длины нанокристаллов имеет максимум при 610$^\circ$C. Повышение температуры до 640$^\circ$C приводит к подавлению формирования нитевидных нанокристаллов. Описан метод, позволяющий получать чисто кубические GaAs нитевидные нанокристаллы. Дано теоретическое обоснование появления кубической фазы в самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллах.

Поступила в редакцию: 19.10.2010
Принята в печать: 22.10.2010