Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов

Б. Я. Бер^a, Е. В. Богданова^a, А. А. Грешнов^a, А. Л. Закгейм^a, Д. Ю. Казанцев^a, А. П. Карташова^a, А. С. Павлюченко^a, А. Е. Черняков^a, Е. И. Шабунина^a, Н. М. Шмидт^a, Е. Б. Якимов<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Аннотация: Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью $\eta$ до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока $j$ определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при $j\approx$ 50 А/см$^2$) наблюдалось при сильном легировании $n^+$-области (до 10$^{19}$ см$^{-3}$) и при возникновении компенсированных слоев в активной или $p^+$-области. При $j>$ 50 А/см$^2$ доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый $\eta(j)\propto j^{-b}$, где 0.2 $<b<$ 0.3.

Поступила в редакцию: 07.09.2010
Принята в печать: 15.09.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 415–421

Реферативные базы данных:

•