Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин, В. Г. Кеслер, В. А. Скуратов, А. Г. Черков, “Влияние состава слоев SiO$_x$ на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3,страницы 419

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние состава слоев SiO$_x$ на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов

Г. А. Качурин^a, С. Г. Черкова^a, Д. В. Марин^a, В. Г. Кеслер^a, В. А. Скуратов^b, А. Г. Черков^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.

Аннотация: Слои SiO$_x$ переменного состава с 0 $<x<$ 2 облучали ионами Xe с энергией 167 МэВ, дозой 10$^{14}$ см$^{-2}$ для стимулирования формирования светоизлучающих кремниевых наноструктур. Облучение вызвало появление полосы фотолюминесценции, зависящей от $x$. С увеличением содержания Si фотолюминесценция вначале росла с максимумом вблизи длины волны $\lambda\approx$ 600 нм, а затем максимум смещался к $\lambda\approx$ 800 нм. Сделан вывод, что источниками излучения являются квантово-размерные нановыделения, образующиеся в результате диспропорционирования SiO$_x$ в треках ионов благодаря высоким ионизационным потерям. Изменения фотолюминесценции с ростом $x$ объясняются увеличением вначале вероятности формирования нановыделений, а затем и их размеров, что приводит к длинноволновому сдвигу. Последующее гашение люминесценции обусловлено снятием квантово-размерных ограничений и коагуляцией.

Поступила в редакцию: 24.08.2010
Принята в печать: 30.08.2010